解決方案

儀器和設(shè)備的防靜電措施

在做ESD的設(shè)計(jì)時(shí)，我們通常會(huì)有一些儀器和設(shè)備的防靜電措施方面的選擇，筆者通過(guò)多年來(lái)的EMC方面的解決方案的提供，總結(jié)出一些經(jīng)驗(yàn)，供讀者在儀器和設(shè)備的防靜電措施方面有明確的選擇。
1、一般要求
(1) 優(yōu)先選用靜電放電(ESD)敏感度應(yīng)不低于2級(jí)的電子元器件。
(2)若必須采用靜電放電(ESD)敏感度為1級(jí)的元器件時(shí)，其保護(hù)電路應(yīng)設(shè)置在儀器或設(shè)備的*低層次上;并要求靜電放電(ESD)電壓值應(yīng)不低于2級(jí)。
(3)在設(shè)計(jì)文件和圖樣中應(yīng)明確標(biāo)明：①混合電路和儀器設(shè)備的靜電放電(ESD)敏感度的級(jí)別和標(biāo)志；②電子元器件靜電放電(ESD)敏感度級(jí)別要求；③對(duì)生產(chǎn)方和使用方靜電放電(ESD)控制和保護(hù)的技術(shù)要求。
2、通常采取的措施
(1) 在MOS器件的每個(gè)輸入端外部串聯(lián)電阻器。
(2) MOS器件所有不同的輸入端引線(xiàn)不能懸空，應(yīng)視不同電路接到電源地、電源(源極)Vss或電源(漏極)VDD上。
(3)CMOS器件的輸出端(模擬開(kāi)關(guān)除外)可用一個(gè)電阻器把每個(gè)輸出端與電纜線(xiàn)路隔開(kāi)，并用兩個(gè)高速開(kāi)關(guān)二極管把電路鉗位在Vss或VDD上。
(4) 使用長(zhǎng)輸入電纜時(shí)，應(yīng)采用濾波網(wǎng)絡(luò)。
(5)在靜電放電(ESD)敏感雙極元器件的輸入端，外接由一個(gè)電阻值較大的電阻器和一個(gè)容量不小于100pF的電容器組成的RC網(wǎng)絡(luò)，以降低靜電放電(ESD)的影響。當(dāng)電路特性有規(guī)定時(shí)，也可用兩個(gè)并聯(lián)二極管在每個(gè)極性上鉗位0.5V電壓，將輸入分流到地。
(6) 不準(zhǔn)將安裝在印制電路板上的靜電放電(ESD)敏感元器件的引線(xiàn)，不經(jīng)任何保護(hù)電路直接與電連接器端子相連。
(7) 儀器和設(shè)備的接口電路盡量采用靜電放電(ESD)敏感度為3級(jí)或不敏感的元器件。
(8) 與靜電放電(ESD)敏感電路連接的儀器和設(shè)備外接電連接器上應(yīng)有靜電放電(ESD)保護(hù)帽(蓋)。
(9)與靜電放電(ESD)敏感產(chǎn)品連接的鍵盤(pán)、控制面板、手控裝置、開(kāi)關(guān)及鎖定裝置等，應(yīng)設(shè)計(jì)成能通過(guò)機(jī)殼地線(xiàn)直接泄放人體上的靜電荷。
(10)元器件和混合電路布置應(yīng)將靜電放電(ESD)敏感元器件遠(yuǎn)離產(chǎn)生靜電場(chǎng)的部件，如排風(fēng)扇等，必要時(shí)應(yīng)采用靜電抑制技術(shù)和靜電屏蔽技術(shù)。
(11) 靜電放電(ESD)敏感產(chǎn)品應(yīng)設(shè)置與大地或船艦、航天飛行器、火箭及導(dǎo)彈的金屬殼體相連接的接地端子。
(12)機(jī)箱殼體如有搭接，即使為0.1Ω的搭接電阻，如有放電電流30A，搭接處就有3V電壓，即不同電路的參考電位會(huì)相差3V。解決辦法為采用單點(diǎn)接地，盡量避免搭接。

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